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西安半导体产业园109号功率MOS晶体管/IGBT芯片厂房(陕西电子信息集团有限公司)

减小字体 增大字体 作者:亿美建筑资讯网  来源:亿美建筑资讯网  发布时间:2011-08-18
西安半导体产业园109号功率MOS晶体管/IGBT芯片厂房(陕西电子信息集团有限公司)项目名称:陕西:西安半导体产业园109号功率MOS晶体管/IGBT芯片厂房(陕西电子信息集团有限公司)陕西西安高新技术产业开发区内兴建三幢厂房,总建筑面积约为80,534平方米.*109号功率MOS晶体管/IGBT芯片厂房总建筑面积13147.69平方米,二层框架结构厂房,施工图设计.102号建筑(电池片生产厂房)总建筑面积49387平方米,105号建筑(外延生产厂房)18000平方米,均为四层框
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